晶圆的双面抛光方法及使用该双面抛光方法的外延晶圆的制造方法以及外延晶圆 |
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阅读量: 346 申请(专利)号: CN201680075581.2 申请日期: 2016.11.04 公开/公告号: CN108602173A 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司 发明人: 木户亮介 展开 国省代号: 日本;JP 摘要: 本发明提供一种能够在晶圆的双面抛光时刻意地制作所希望的边缘塌边的双面抛光用载具及使用该双面抛光用载具的晶圆抛光方法,以及能够制造出使用已实施该种双面抛光加工的晶圆而提高背面的平坦度的外延晶圆的制造方法.双面抛光用载具(10),配设于分别粘贴有抛光布(4),抛光布(5)的上平台(2)和下平台(3)之间,且具有用于保持被夹在上平台(2)和下平台(3)的晶圆(W)的保持孔(10a),在保持孔(10a)的上侧角及下侧角中的至少一侧上形成有倒角部(12c).并且,使用由该双面抛光用载具(10)制造的硅晶圆来制造出外延硅晶圆. 展开 主权项: 1.一种晶圆的双面抛光方法,其在配设于分别粘贴有抛光布的上平台和下平台之间的双面抛光用载具的保持孔内安装晶圆,且在晶圆使用所述上平台和所述下平台夹住所述晶圆及所述双面抛光用载具的状态下,使所述上平台和所述下平台旋转而同时抛光所述晶圆的双面,所述晶圆的双面抛光方法的特征在于:在所述双面抛光用载具的所述保持孔的上侧角及下侧角中的至少一侧形成有倒角部,以使朝向所述双面抛光用载具的形成有所述倒角部的方向的所述晶圆背面侧的边缘塌边大于所述晶圆的正面侧的边缘塌边的方式同时抛光所述晶圆的双面。 展开 |
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